存储芯片“涨价风暴”来袭:DRAM现货溢价超170%,AI服务器需求引爆超级周期
日期:2026-01-30 14:01:01 / 人气:17
一、现货溢价创纪录:合约价跟涨“箭在弦上”
高盛最新预警,一场由DRAM芯片现货价格狂飙引发的“超级涨价风暴”正加速逼近。核心信号是现货与合约价的巨大剪刀差——截至2026年1月,DDR5现货价较2025年12月合约价溢价约76%,DDR4溢价更是高达172%(已持续超一年)。这种罕见的价差,直接推动合约价进入“补涨通道”。
市场已现连锁反应:
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中国台湾地区DRAM龙头南亚科技2025年12月营收同比暴增445%,连续5个月保持三位数增长(8-12月增速从141%攀升至445%);
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韩国2025年12月DRAM出口同比增长72%,涨价效应拉动全产业链数据向好。
二、AI服务器“火上浇油”:需求端爆发式增长
与过往周期不同,此轮涨价并非下游萎缩,而是AI驱动的刚性需求在“火上浇油”。
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AI服务器的“内存饥渴”:单台AI服务器内存需求是传统服务器的8-10倍,直接拉动DDR5、HBM等高端DRAM需求;
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产能转移加剧短缺:上游厂商已将70%-80%产能转向HBM、DDR5,导致DDR4等成熟制程DRAM供给严重紧缩。
下游数据验证需求热度:
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服务器ODM(英业达、广达等)2025年12月营收同比增长94%,连续13个月增速超50%;
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全球最大BMC供应商信骅科技2025年12月营收在高基数上仍同比增长18%,AI服务器配套需求持续释放。
三、“超级周期”至少持续至2027年:价格高位难撼动
机构普遍认为,此轮由AI引发的结构性短缺,将推动存储行业进入高景气“超级周期”,价格高位或维持数年。
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高盛:2026年Q1传统存储器价格涨幅或与2025年Q4相当甚至更高;
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Citrini Research:DRAM供应短缺至少持续到2027年,未来几个季度价格环比上涨将是常态;
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三星/SK海力士:计划2026年Q1服务器DRAM合约价上调60%-70%,通用DRAM环比涨55%-60%。
四、终端“涨声一片”:手机、PC成本压力传导
成本压力正快速向消费端蔓延,手机、PC等终端产品已普遍提价:
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成本占比飙升:存储芯片在智能手机物料成本中的占比从10%-15%升至20%以上,部分高端机型超35%;
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终端涨价实例:联想、戴尔等PC品牌部分机型提价500-1500元(涨幅最高20%);红米、iQOO等新机较上一代涨价100-600元。
TrendForce已下调2026年全球智能手机、笔电出货预期,反映涨价对需求的抑制作用。
结语:从现货溢价到合约价跟涨,从AI服务器需求爆发到终端产品提价,这场由技术变革(AI)与供给错配(产能转移)共同推动的存储涨价风暴,正深刻改写行业格局——未来几年,“缺芯涨价”或成常态,而能在高端产能(如HBM、DDR5)上抢占先机的企业,将主导新周期。
作者:门徒娱乐
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